Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 0.2W. Spec info: serigrafia/codice SMD 6B. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 0.2W. Spec info: serigrafia/codice SMD 6D. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. C(in): 75pF. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 1.6mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Corrente del collettore: 100nA (ICBO). Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SM-8. Quantità per scatola: 2. Voltaggio: 60V. Guadagno hFE massimo: 100 (500mA, 2V). Numero di terminali: 8:1. Massimo: 140 MHz. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 2.75W. Tipo di transistor: PNP & PNP. Temperatura di funzionamento: -55°C ~ 150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX451. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX653. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.17V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZTX758. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 150. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX690. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 600 ns. Tf(min): 35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,95 V. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 300. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 750 ns. Tf(min): 35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V