Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2T. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Marcatura sulla cassa: 2T. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2L. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2GM. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2GM. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 170pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor amplificatore ad alta tensione (versione SMD del transistor MPSA42). Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Nota: 2D. Marcatura sulla cassa: 2D. Equivalenti: PMBTA92.215. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MMBTA42. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2D. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2D. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6E. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA92. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92AMMO. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA06. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA56. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 5000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA42. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. C(in): 60pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 4.5pF. Costo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW0281. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3P, 250V, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3P. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NJW21193G. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, 60V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementare (coppia) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT89 (SC-62). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 85pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: commutazione ad alta corrente, tensione a bassa saturazione . Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): 15A. Nota: PBSS4041NX. Marcatura sulla cassa: 6g. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Spec info: serigrafia/codice SMD 6G. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 75 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 60mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 300mV. Vebo: 5V

Transistor NPN, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente del collettore: 600mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 29pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 800mA. Marcatura sulla cassa: *T2, P2T, T2T, W2T. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementare (coppia) PMBT4401. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 75pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Spec info: hFE 80...450. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Amplificatore per usi generali. Spec info: hFE 240...600. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92AMMO. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. C(in): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: Amplificatore per usi generali. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 30 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V