Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2907A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-363. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: doppio transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: B*1. Frequenza di taglio ft [MHz]: 180 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 160. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.28V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 4. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: eccellente linearità hFE. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Costo): 95pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Operazione push-pull di classe B. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: eccellente linearità hFE. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: Amplificatore di media potenza. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) STD1862. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Funzione: Transistor di potenza PNP ad alta tensione a commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: N9260. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 150 ns. Tipo di transistor: PNP. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 1000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor di potenza a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: N93003. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) STN83003. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione, amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 15A. Nota: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP102. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP126. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. C(in): 75pF. Costo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP122. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. Costo): 300pF. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP122G. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP127. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO220, 100V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): 70pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: 8A. Guadagno hFE massimo: 15000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 12V. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP132. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP147. Frequenza di taglio ft [MHz]: 500. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP142. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Resistenza BE: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP142T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 100V, 15A, 15A, TO-247, 70V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. Corrente del collettore: 15A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 70V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP2955. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Nota: transistor complementare (coppia) TIP3055. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Spec info: Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP30. Dissipazione massima Ptot [W]: 30W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Costo): 160pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: PNP TRANS 100V 3. Data di produzione: 201448. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP31C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-247. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP33C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 45pF, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): 45pF. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. Corrente del collettore: 25A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP33C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP35C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 100V, 25A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP36CG. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP41C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP