Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 3L (AMMO). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 300. Marcatura sulla cassa: A992. Equivalenti: 2SC992. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) KSC1845. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Marcatura sulla cassa: B1366-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) KSD2012. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon PNP Triple Diffused Type. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 12pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 75. Nota: piedinatura E, C, B. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Unità di condizionamento: 2000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor epitassiale al silicio PNP. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Spec info: 0504-000142. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: SW. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 47. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 47. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S. Spec info: 12159-301-810. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.15A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 10. Costo): 3.7pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 100. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor PNP planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( H ) IS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: Amplificatore audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Marcatura sulla cassa: B778. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: transistor complementare (coppia) KTD998. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11015G. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Nota: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11016. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente del collettore: 50A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Costo): 300pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Guadagno hFE massimo: 18000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 100A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ11032. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ11033G. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Corrente del collettore: 20A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 70. C(in): TO-3. Costo): TO-204AA. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: transistor di potenza. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15003. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 10. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15015. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 6us. Tf(min): 4us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15016G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 18 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15022. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15022. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 280pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15024. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 250V, 16A, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ15025G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3. Custodia (standard JEDEC): TO-204AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJ21193G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +200°C

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ21196. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V