Transistor bipolari PNP

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 450 MHz. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.83W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BF422. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF450. Frequenza di taglio ft [MHz]: 350 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: Stadi HF e IF nei ricevitori radio. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Corrente del collettore: 0.03A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Spec info: transistor complementare (coppia) BF471. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, 30 v. Corrente del collettore: 50mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: VHF/UHF-V. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 350V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 30mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 550 MHz. Funzione: VHF-V. Guadagno hFE minimo: 25. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Quantità per scatola: 1. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 700 MHz. Funzione: Oscillatore VHF. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DB. Frequenza di taglio ft [MHz]: 60 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Corrente del collettore: 0.03A. Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 900 MHz. Funzione: UHF-M/O. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 1W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 20V, 25mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Funzione: UHF-V

Transistor NPN, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Corrente del collettore: 30mA. Alloggiamento: TO-50. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-50. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 900 MHz. Funzione: UHF-M/O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 30mA, 20V. Corrente del collettore: 30mA. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: UHF-V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BFN37. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 12V. Corrente collettore Ic [A], max.: 35mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta frequenza. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: X1p. Frequenza di taglio ft [MHz]: 5GHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 150 Ohms. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: corrente continua elevata, driver relè, driver lampada. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Spec info: transistor complementare (coppia) BSP50. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP62. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: hFE 50...300. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Spec info: serigrafia/codice CMS T8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V