Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-202. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-202; SOT128B. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 75 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD829. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, 100V. Corrente del collettore: 8A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD901. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, 45V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD911. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, 45V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDP950. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: sì. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 1500. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 20A. Nota: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDT65C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(massimo): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, 15A, 100V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: 130.42144. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 100V, 10A, TO-247, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDV64BG. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65B. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDV65C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW47G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 4 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 85W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-93. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW83C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-93. Custodia (standard JEDEC): SOT-93. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 15A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW84D. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1 MHz. Funzione: hFE 750 (@3V, 6A). Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BDW83D. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: PNP Darlington Transistor. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDW94C. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: transistor complementare (coppia) BDW93C. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: transistor complementare (coppia) BDW93CF. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. RoHS: sì. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: 10k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 150 Ohms. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX33C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDX34CG. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: sì. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: amplificatore audio. Data di produzione: 2014/32. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Nota: transistor complementare (coppia) BDX53C. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor Darlington di potenza complementari. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Transistor Darlington di potenza complementari. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX53F. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Funzione: hFE 1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX67C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Funzione: hFE 1000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX67C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, 50V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Tipo di transistor: PNP