Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 500. Guadagno hFE minimo: 250. Nota: serigrafia /Codice SMD C2. Marcatura sulla cassa: C2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 32V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Nota: >120. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 45V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCW69R. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: T1. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 125V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Transistor PNP, per applicazioni AF e di commutazione. Guadagno hFE massimo: 63. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: DKs. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX41. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 125V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: DKs. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-TR. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Spec info: serigrafia/codice SMD AA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AD. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AM. Frequenza di taglio ft [MHz]: 125 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatori audio. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 1.5A. Marcatura sulla cassa: AH. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD AH. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatori audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 63. Ic(impulso): 1.5A. Nota: serigrafia/codice SMD AK. Marcatura sulla cassa: AK. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX56-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: transistor PNP. Resistenza BE: saldatura PCB (SMD). C(in): SOT-89. Costo): TO-243. Diodo CE: componente a montaggio superficiale (SMD). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatori audio. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1.5A. Nota: serigrafia/codice SMD AL. Marcatura sulla cassa: AL. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Spec info: transistor complementare (coppia) BCX56-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Custodia (standard JEDEC): TO-243. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AL. Frequenza di taglio ft [MHz]: 125 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 32V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: NF/S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140-16. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, 45V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Applicazioni audio, lineari di potenza e di commutazione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD237. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD238G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD239C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD241C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD242CG. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD244C. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V