Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3F. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3F. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), TSSOP6, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: TSSOP6. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: doppio transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: 3Ft. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice CMS 3G. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3L. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 475. Guadagno hFE minimo: 220. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: SMD 3F. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 3G/4C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 4C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Nota: transistor complementare (coppia) BC850C. Marcatura sulla cassa: 4g. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 4G. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.25W. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-89, 20V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-89. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: CEC. Frequenza di taglio ft [MHz]: 140 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF/S. Guadagno hFE massimo: 2000. Guadagno hFE minimo: 1000. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 145 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP51/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP54-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 145 MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP52/16. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.35W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP55-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP53-10. Frequenza di taglio ft [MHz]: 120 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AH-10. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150MHz. Funzione: applicazioni audio, telefonia e automobilistiche. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: BCP 5316. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BCP56-16. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: AH. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-264. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP56-10. Frequenza di taglio ft [MHz]: 120 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +155°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP69/25. Frequenza di taglio ft [MHz]: 140 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): TO-261. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BCP69. Frequenza di taglio ft [MHz]: 140 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 4.7k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 4.7k Ohms. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Transistor digitale al silicio PNP. Guadagno hFE minimo: 50. Marcatura sulla cassa: XUs. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: XHs. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-143. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-143. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. FT: 250 MHz. Funzione: doppio transistor al silicio PNP . Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Marcatura sulla cassa: 3Ls. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 3Ls. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v