Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD245C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD245C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD249C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-93. Custodia (standard JEDEC): SOT-93. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD250C. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 32V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD438. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD437. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD440. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD442. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD441. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Spec info: custodia isolata. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 7 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 1500. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 12A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62.5W. RoHS: sì. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 120V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD652. Dissipazione massima Ptot [W]: 62.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, 45V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD678. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD677A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: hFE 750. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 14W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD682. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD681. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD682G. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 4A, 120V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Nota: >750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD810G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 1.5 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 90W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C