Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: C32716. Frequenza di taglio ft [MHz]: 260 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 160-400. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 160-400. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-25. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC327-25. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC327-25. Frequenza di taglio ft [MHz]: 260 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC327-25. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC327-40. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-40. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: hFE 250-600. Guadagno hFE massimo: 630. Guadagno hFE minimo: 250. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC337-40. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 1A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC369. Frequenza di taglio ft [MHz]: 45 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, 180V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Spec info: TO18. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.4A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 3000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC517. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: PNP Darlington Transistor. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC517. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC556B. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546B. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 65V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC556B. Frequenza di taglio ft [MHz]: 280 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC546C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo-Pak ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 110. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 45V, 100mA, TO-92, 50V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC557B. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547B. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC557B. Frequenza di taglio ft [MHz]: 320 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC557B. Frequenza di taglio ft [MHz]: 150 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C