Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, D8/C, 35V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, saldatura PCB, D17/C, 60V/50V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD882. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-3PN, 160V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1047. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1133. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Resistenza B: 10. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 47. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor PNP. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1138. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V

Transistor NPN, saldatura PCB, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: PNP Darlington Transistor. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 560. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 4A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1207. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 45V/40V, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V/40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 80V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A743. Frequenza di taglio ft [MHz]: 120 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: sostituire

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Corrente del collettore: 20mA. Alloggiamento: SOT-39. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 13V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. FT: 1250 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 32V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: B891F. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): 180pF. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: 1A. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): +175°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BC141. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(massimo): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 120. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 460. Guadagno hFE minimo: 180. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 280 MHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BC212BG. Frequenza di taglio ft [MHz]: 280 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 20V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-18, 25V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-18. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.65 MHz. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V