Transistor bipolari PNP

Transistor NPN. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Funzione: VHR758 EV

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) CSD1133. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 70V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 20A. Equivalenti: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: coppia D44H11. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D45H11G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 40 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE minimo: 70. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D45H8G. Frequenza di taglio ft [MHz]: 40 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 14. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: Transistor digitale (resistenza di polarizzazione incorporata). Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: 14. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 14. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: Transistor digitali (resistori integrati). Marcatura sulla cassa: 15. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 15. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SC-72. Custodia (secondo scheda tecnica): SC-72 ( D143 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: 4.7k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 47k Ohms. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor dotato di resistore PNP. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 19. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 190 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 480. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 4A. Nota: transistor complementare (coppia) FMMT619. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 720. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Corrente del collettore: 2A. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP4. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 7. RoHS: sì. Spec info: 2SB1121 e SB05-05CP integrati in una custodia. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65 MHz. Funzione: hFE 5000. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) FN1016. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, PCP4, 15V. Corrente del collettore: 3A. Custodia (secondo scheda tecnica): PCP4. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 6. RoHS: sì. Spec info: Transistor + diode block. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT558. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30 v. Corrente collettore Ic [A], max.: 5.5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT949. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Spec info: tensione di saturazione molto bassa. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

Transistor NPN. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 3A, 40V. Corrente del collettore: 3A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Nota: hFE 100...400. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Spec info: TO-92. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: hFE 160...320. Spec info: Custodia NON isolata. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Spec info: KSA642-O. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.15A, 60V. Corrente del collettore: 0.15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: 9mm. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.7A, 80V. Corrente del collettore: 0.7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF/S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: Altezza 9 mm. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) KSC2073. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V