Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, D3/B, 30V/20V, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D3/B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI, NF-E. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3182. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 500pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Funzione: Audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 50. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3263. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tf(massimo): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 17A, 230V. Corrente del collettore: 17A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 35 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3264. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HIFI-NF-E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3280. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HIFI-NF-E. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3281. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3284. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3298. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Io-sab. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3299. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F (2-8A1H). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3421Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 2-8H1A, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-8H1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3423. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Diodo BE: NINCS. C(in): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: video. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO3P ). Custodia (secondo scheda tecnica): MT-100(TO3P). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Diodo BE: NINCS. Costo): 500pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Marcatura sulla cassa: A1386A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3519A. Peso: 6g. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 60V/50V, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 5A, 35V. Corrente del collettore: 5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30V/25V, 300mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Marcatura sulla cassa: A1492. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3856. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 400 MHz. Funzione: Hi-def, Cre=2.2pF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 8W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3953. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.5A, 400V. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 2A, 400V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF-S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Tipo di transistor: PNP