Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V - 2SA1941-TOS

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V - 2SA1941-TOS
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Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V - 2SA1941-TOS. Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Costo): 320pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: A1941. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5198. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 17:25.

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2SA1943

2SA1943

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Allo...
2SA1943
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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2SC5200
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Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. C...
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. C...
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Transistor NPN, saldatura PCB, SOT-32, 500mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Alloggiamento: ...
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