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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SA1943

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SA1943
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V - 2SA1943. Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Costo): 360pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 26/07/2025, 11:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 25 MHz. Funzione: NF-HI-FI. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5242. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 25 MHz. Funzione: NF-HI-FI. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5242. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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