Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Funzione: transistor a pacchetto isolato. Nota: =10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 12 MHz. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1933. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1913. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TOP-3L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: Ottimale per uscita Hi-Fi da 120 W. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 3500. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tripla diffusione planare tipo darlington . Tf(massimo): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Guadagno hFE massimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2390. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2394. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 12A, 150V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2401. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65 MHz. Funzione: hFE 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2438. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: hFE 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2439. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( SOT-93 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: NF-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, 110V. Corrente del collettore: 6A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2495. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 45 MHz. Funzione: Amplificatore e regolatore di potenza audio HI-FI. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2560. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): MT-25 (TO220). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 110V. Diodo BE: NINCS. Costo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD2589. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 110V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.15A, 25V. Corrente del collettore: 0.15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: GE. Nota: >30. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 35V, 1.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, 1.5A, 35V. Corrente del collettore: 1.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 35V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 50V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W

Transistor NPN, saldatura PCB, M17/J, 90V/80V, 800mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: M17/J. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V/80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 10W

Transistor NPN, saldatura PCB, D17/C, 25V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D17/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.9W

Transistor NPN, 0.1A, SC-71, 60V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SC-71. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.4W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, D8/C, 30V/25V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D8/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: SOT-89. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-89. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V/60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MINI MOLD. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 2.7pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE massimo: 460. Guadagno hFE minimo: 160. Ic(impulso): 0.2A. Marcatura sulla cassa: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD601. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V