Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 55V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 55V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 35V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 0.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 70V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 15W

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 80V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 150V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, D35/B, 20V/15V, 200mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D35/B. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 20V/15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 100V, 500mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W

Transistor NPN, 0.05A, 80V. Corrente del collettore: 0.05A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.15W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 30V/20V, 30mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 30V/20V. Corrente collettore Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Marcatura del produttore: silicio. Frequenza di taglio ft [MHz]: 0.03A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): PNP. Range di temperatura di funzionamento max (°C): 30 v

Transistor NPN, 1A, 40V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: Transistor bipolare PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): D8A/C. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 45V/35V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V/35V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 5W

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 90V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 1A, 20V. Corrente del collettore: 1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 20V. Resistenza B: NINCS. Diodo BE: Transistor bipolare PNP. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Diodo CE: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 90V, 50mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 90V. Corrente collettore Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Funzione: NF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, saldatura PCB, D18/C, 40V/32V, 1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: D18/C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V/32V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: TV-HA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2073. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: audio/video. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Spec info: Altezza 9 mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Processo PCT. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Basso rumore, amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 700. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2240. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Basso rumore, amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 200. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2275. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, 60V/50V, 100mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V/50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Transistor bipolare PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W