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Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V - 2SA949

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V - 2SA949
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Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V - 2SA949. Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 0.05A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: audio/video. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Spec info: Altezza 9 mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 17:25.

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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 830mW. Spec info: transistor complementare (coppia) BF420. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: A1145 O. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2705. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 130. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: A1123. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo di pialla epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 220. Guadagno hFE minimo: 130. Ic(impulso): 100mA. Marcatura sulla cassa: A1123. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo di pialla epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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