Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G
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2 - 2 5.76€ 7.03€
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5 - 9 5.45€ 6.65€
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20 - 29 5.15€ 6.28€
30 - 74 4.97€ 6.06€
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5 - 9 5.45€ 6.65€
10 - 19 5.33€ 6.50€
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW0281G. Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 4.5pF. Costo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW0281. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 17:25.

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MJL1302A

MJL1302A

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: T...
MJL1302A
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
MJL1302A
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.7pF. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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NJW1302

NJW1302

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamen...
NJW1302
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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2SC5359

2SC5359

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Allo...
2SC5359
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1987. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
2SC5359
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1987. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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10.83€ IVA incl.
(8.88€ Iva esclusa)
10.83€
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MJL3281A

MJL3281A

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: T...
MJL3281A
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL1302A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
MJL3281A
Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL1302A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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13.32€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 30
NJW3281

NJW3281

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamen...
NJW3281
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Data di produzione: 201452 201512. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW1302. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
NJW3281
Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Data di produzione: 201452 201512. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW1302. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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8.91€ IVA incl.
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Consigliamo inoltre :

Dissipatori di calore

(410)

Accessori di montaggio per transistor

(90)

Grasso termico

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Consigliamo inoltre :

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NJW1302

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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamen...
NJW1302
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NJW1302
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8.91€ IVA incl.
(7.30€ Iva esclusa)
8.91€
Quantità in magazzino : 581
SMICA-SOT93

SMICA-SOT93

Funzione: suola isolante in gomma, isolamento 10kV/mm. Varie: lastra termoconduttiva ed isolante ele...
SMICA-SOT93
[LONGDESCRIPTION]
SMICA-SOT93
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0.17€ IVA incl.
(0.14€ Iva esclusa)
0.17€
Quantità in magazzino : 14
2SC3281

2SC3281

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: T...
2SC3281
[LONGDESCRIPTION]
2SC3281
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3.17€ IVA incl.
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3.17€
Quantità in magazzino : 141
STP55NF06

STP55NF06

Transistor a canale N, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25...
STP55NF06
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STP55NF06
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1.51€ IVA incl.
(1.24€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 5
KSC2073-2

KSC2073-2

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Cu...
KSC2073-2
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KSC2073-2
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2.66€ IVA incl.
(2.18€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 6413
BC547C

BC547C

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Cust...
BC547C
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BC547C
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0.0922€ IVA incl.
(0.0756€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 90
2SA1302

2SA1302

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: T...
2SA1302
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2SA1302
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3.23€ IVA incl.
(2.65€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 142
MJL21194

MJL21194

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente del collettore: 16A. Alloggiamento...
MJL21194
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MJL21194
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9.66€ IVA incl.
(7.92€ Iva esclusa)
9.66€
Quantità in magazzino : 64
IRFP3206

IRFP3206

Transistor a canale N, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 140A. ID ...
IRFP3206
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IRFP3206
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4.68€ IVA incl.
(3.84€ Iva esclusa)
4.68€
Quantità in magazzino : 3606
Z0103MN

Z0103MN

IT(RSM) (TC=85°C): 1A. È M: 8A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnic...
Z0103MN
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Z0103MN
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