Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.67€ | 2.04€ |
5 - 9 | 1.59€ | 1.94€ |
10 - 24 | 1.50€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.42€ | 1.73€ |
50 - 58 | 1.39€ | 1.70€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.67€ | 2.04€ |
5 - 9 | 1.59€ | 1.94€ |
10 - 24 | 1.50€ | 1.83€ |
25 - 49 | 1.42€ | 1.73€ |
50 - 58 | 1.39€ | 1.70€ |
Transistor a canale N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - SPB80N04S2-H4. Transistor a canale N, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.4M Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 4480pF. Costo): 1580pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 195 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento . Id(imp): 320A. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: 2N04H4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.
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