Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V - IRF634B

Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V - IRF634B
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Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V - IRF634B. Transistor a canale N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8.1A. Idss (massimo): 8.1A. Rds sulla resistenza attiva: 0.348 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: V-MOS. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 02:25.

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Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza a commutazione rapida. Id(imp): 40A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 6.3A, 10A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 400V. C(in): 1400pF. Costo): 330pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 370 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET di potenza a commutazione rapida. Id(imp): 40A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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