Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MUR1100E

MUR1100E
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10 - 24 0.54€ 0.66€
25 - 49 0.52€ 0.63€
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MUR1100E. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 35A. Equivalenti: MUR1100ERLG. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.75V. Tensione diretta Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 1000. Spec info: IFSM. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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UF4007

UF4007

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4007
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (m...
SUF4007
Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
SUF4007
Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 75 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.7V. Tensione diretta Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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