Ponti raddrizzatori a diodi

VRRM: 200V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 6,4x0,8 mm Terminale Fastton. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms). Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 50A. Quantità per scatola: 4. Materiale semiconduttore: silicio. Dimensioni dei collegamenti: 6,4x0,8 mm Terminale Fastton. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 50A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 6,4x0,8 mm Terminale Fastton. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente nominale [A]: 50A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 6,4x0,8 mm Terminale Fastton. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente nominale [A]: 50A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. IFSM: 500A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 6,4x0,8 mm Terminale Fastton. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms). Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente nominale [A]: 50A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Dimensioni dei collegamenti: 10.8x10.8mm. Dimensioni: 15.2x15.2mm

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 125A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125A (t=8.2ms). Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 6A. Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. Trifase: 0. IFSM: 125A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms). Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

Corrente nominale [A]: 8A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 135A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 19x19x6.8mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 10A. Funzione: Ponte raddrizzatore. Equivalenti: KBU1008. Serie: KBU. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente nominale [A]: 4A. Tensione di picco Urrm [V]: 400V. Corrente di picco Ifsm [A]: 180A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 4A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 180A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 4A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 180A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 6A. Funzione: Ponte raddrizzatore. Serie: KBU. Alloggiamento: SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 8A. Funzione: Ponte raddrizzatore. Serie: KBU. Alloggiamento: SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 8A. Funzione: Ponte raddrizzatore. Serie: KBU. Alloggiamento: SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente nominale [A]: 8A. Tensione di picco Urrm [V]: 100V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 8A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 8A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 0.5A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 25A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Equivalenti: MB10S. Numero di terminali: 4. Passo: 2.5mm. Dimensioni: 4.8x3.8x1.4mm. RoHS: sì. Spec info: spessore massimo 1,6 mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): MBF. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 0.8A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Equivalenti: MB10F. Numero di terminali: 4. Passo: 2.5mm. Dimensioni: 4.8x3.9x2.5mm. RoHS: sì. Spec info: spessore massimo 2,7 mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): MBF. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V