Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Trifase: 0. Corrente diretta (AV): 25A. IFSM: 300A. Equivalenti: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single