Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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KBU6J

KBU6J
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1 - 4 0.92€ 1.12€
5 - 9 0.87€ 1.06€
10 - 24 0.82€ 1.00€
25 - 49 0.78€ 0.95€
50 - 99 0.76€ 0.93€
100 - 235 0.67€ 0.82€
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Set da 1

KBU6J. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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KBU8J

KBU8J

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamen...
KBU8J
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Custodia (standard JEDEC): 8A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 8A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
KBU8J
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 23.5x5.7x19.3mm. Custodia (standard JEDEC): 8A. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 8A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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FUSE-2-000A20T

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KBU8M

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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
KBU8M
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Tensione CC: 560V. Capacità: 47nF. Tensione CA: 275V. Tipo: MKP X2. Materiale del condensatore: fil...
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GL865-QUAD-V3
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D5SB60-7000

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
D5SB60-7000
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D5SB60-7000
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