Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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KBPC606. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 125A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: Ifsm 125A (t=8.2ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore...
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Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. Trifase: 0. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 125A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)
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Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. Trifase: 0. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 125A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)
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