Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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KBPC1006. Do: 21pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 175A. RM (max): 10uA. RM (min): 1000uA. Numero di terminali: 4. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--175Ap. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Corrente diretta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su...
KBPC1010
Corrente diretta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 13x13mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Corrente diretta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 13x13mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Do: 21pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte ...
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Do: 21pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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Do: 21pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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Corrente diretta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su...
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Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore...
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Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte...
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