MB10S
| Qnéuantità (Set da 5) | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.86€ | 1.05€ |
| 3 - 4 | 0.82€ | 1.00€ |
| 5 - 9 | 0.78€ | 0.95€ |
| 10 - 19 | 0.73€ | 0.89€ |
| 20 - 49 | 0.69€ | 0.84€ |
| 50 - 99 | 0.58€ | 0.71€ |
| 100 - 139 | 0.55€ | 0.67€ |
| Qnéuantità (Set da 5) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 2 | 0.86€ | 1.05€ |
| 3 - 4 | 0.82€ | 1.00€ |
| 5 - 9 | 0.78€ | 0.95€ |
| 10 - 19 | 0.73€ | 0.89€ |
| 20 - 49 | 0.69€ | 0.84€ |
| 50 - 99 | 0.58€ | 0.71€ |
| 100 - 139 | 0.55€ | 0.67€ |
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MB10S. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 0.8A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Equivalenti: MB10F. Numero di terminali: 4. Passo: 2.5mm. Dimensioni: 4.8x3.9x2.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): MBF. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: spessore massimo 2,7 mm. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.
Prodotti equivalenti :
B1000S1500
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.2mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.2mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SMD. Custodia (secondo scheda tecnica): SMD-4. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V
Consigliamo inoltre :
MB6S-E3-80
Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore di rete 230V. Corrente diretta (AV): 0.5A...
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B1000D
Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore:...
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DB107S
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
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S1WB80B
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
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BTB16-600CW
Data di produzione: 2014/49. Igt (massimo): 35mA. Igt (tipo): 35mA. Ih (max): 35mA. Ih (tipo): 35mA....
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FQPF8N60C
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-2...
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S1WB60B
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
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S1WBS60
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
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1N4004
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
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CR-06JL7-1R5
Resistenza: 1.5 Ohms. Potenza: 0.25W. Alloggiamento: SMD 1206. Tolleranza: 5%. Resistenza (R): 1R50...
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