Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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KBPC5004. VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 50A. Quantità per scatola: 4. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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KBPC5006

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutt...
KBPC5006
VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4
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KBPC5010

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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica:...
KBPC5010
VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. IFSM: 500A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. IFSM: 500A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)
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KBPC5008

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VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutt...
KBPC5008
VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)
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VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)
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