Ponti raddrizzatori a diodi

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 35A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4

Corrente nominale [A]: 35A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 300A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 35A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 400A. Dimensioni dei collegamenti: 23x1.2mm. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: cavo

Corrente nominale [A]: 35A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 300A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 35A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 655uA. RM (min): 10uA. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 4

Corrente nominale [A]: 35A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 35A. Piedinatura: connessioni a saldare su circuito stampato. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Materiale esterno: custodia in plastica con superficie di raffreddamento. Dimensioni: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Tr: 1500 ns. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 35A. IFSM: 400A. RM (max): 1mA. RM (min): 10uA. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

Corrente nominale [A]: 35A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 300A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 35A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Materiale esterno: custodia in plastica con superficie di raffreddamento. Dimensioni: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Tr: 1500 ns. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 1600V. Corrente diretta (AV): 35A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. IFSM: 375A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Materiale esterno: custodia in plastica con superficie di raffreddamento. Dimensioni: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Tr: 1500 ns. Classe di infiammabilità: UL94V-0. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 1600V. Corrente diretta (AV): 35A. Piedinatura: connessioni a saldare su circuito stampato. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. IFSM: 330A 50Hz (10ms). RM (min): 10uA. Dimensioni: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: vite. Tr: 1500 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 50V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MB5005. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

Corrente nominale [A]: 50A. Tensione di picco Urrm [V]: 100V. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

VRRM: 200V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 50A. Quantità per scatola: 4. Materiale semiconduttore: silicio. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4

Corrente nominale [A]: 50A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 50A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 664uA. RM (min): 10uA. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

Corrente nominale [A]: 50A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 50A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. IFSM: 500A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

Corrente nominale [A]: 50A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 400A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

Dimensioni dei collegamenti: 10.8x10.8mm. Dimensioni: 15.2x15.2mm

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 125A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: Ifsm 125A (t=8.2ms)

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 6A. Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Raddrizzatore a ponte, ponte raddrizzatore a diodi. Trifase: 0. IFSM: 125A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)