Ponti raddrizzatori a diodi

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 12A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 12A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 4A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 400V. Corrente di picco Ifsm [A]: 135A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Trifase: NINCS. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 150A. Equivalenti: KBL406, RS406, RS406G. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 22x19x3.3mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: Ifsm 150Ap (t=8.3ms)

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 135A. RM (max): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08x5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Numero di terminali: 4. Corrente diretta (AV): 6 A (2,8 A senza dissipatore di calore). Custodia (secondo scheda tecnica): SIP-4 (21.8x18.3x3.5mm)

Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 1.5A. VRRM: 1000V. Specificità: veloce. Trr: <75nsec. Dimensioni: 4.4x5x1.4mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 200A. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Trifase: 0. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL06, RS406, RS406G. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. VRRM: 800V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: RS407. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 4A. VRRM: 800V. Serie: KBL. Alloggiamento: SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 2A. IFSM: 60A. Equivalenti: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Numero di terminali: 4. Passo: 4x4x4mm. Dimensioni: 17.5x14x6.3mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--60Ap

Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 3A. VRRM: 600V. Alloggiamento: SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Do: 21pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 175A. RM (max): 10uA. RM (min): 1000uA. Numero di terminali: 4. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--175Ap

Do: 21pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4

Corrente diretta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. VRRM: 1000V. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 13x13mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. Dimensioni dei collegamenti: diametro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Numero di terminali: 4. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. VRRM: 400V