Ponti raddrizzatori a diodi

Corrente nominale [A]: 12A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 12A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 270A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 4A. Tensione di picco Urrm [V]: 400V. Corrente di picco Ifsm [A]: 135A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 4A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Trifase: NINCS. IFSM: 150A. Equivalenti: KBL406, RS406, RS406G. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 22x19x3.3mm. RoHS: sì. Spec info: Ifsm 150Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 6 A (2,8 A senza dissipatore di calore). Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 135A. RM (max): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08x5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): SIP-4 (21.8x18.3x3.5mm). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 1V

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1.5A. Funzione: Ponte raddrizzatore. Specificità: veloce. Trr: <75nsec. Dimensioni: 4.4x5x1.4mm. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD)

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 4A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 200A. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 4A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Trifase: 0. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL06, RS406, RS406G. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 4A. Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: RS407. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 4A. Funzione: Ponte raddrizzatore. Serie: KBL. Alloggiamento: SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 2A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 60A. Equivalenti: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Numero di terminali: 4. Passo: 4x4x4mm. Dimensioni: 17.5x14x6.3mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--60Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 3A. Funzione: Ponte raddrizzatore. Alloggiamento: SIL. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 10A. Do: 21pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 175A. RM (max): 10uA. RM (min): 1000uA. Numero di terminali: 4. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--175Ap. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 10A. Do: 21pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 13x13mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: collegamento tramite terminali faston. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 3A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 50A. Dimensioni dei collegamenti: diametro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Numero di terminali: 4. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB