Ponti raddrizzatori a diodi

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 4A. Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: RS407. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 2A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 60A. Equivalenti: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Numero di terminali: 4. Passo: 4x4x4mm. Dimensioni: 17.5x14x6.3mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--60Ap

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 600V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 800V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

Corrente nominale [A]: 10/15/25A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 10A. Do: 21pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 175A. RM (max): 10uA. RM (min): 1000uA. Numero di terminali: 4. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--175Ap

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 10A. Do: 21pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 13x13mm. RoHS: sì. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 10A. Passo: 19x19mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: 13x13mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston

Corrente nominale [A]: 10A. Tensione di picco Urrm [V]: 1 kV. Corrente di picco Ifsm [A]: 200A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 3A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 50A. Dimensioni dei collegamenti: diametro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Numero di terminali: 4. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 15A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 300mA. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: Terminale faston 6,35x0,8mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 29x29mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 15A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 300mA. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: Terminale faston 6,35x0,8mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 29x29mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 15A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 300A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Dimensioni dei collegamenti: Terminale faston 6,35x0,8mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 29x29mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 25A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V

VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 25A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 300A. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 25A. Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. Marcatura sulla cassa: MB256. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: MB-25. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Nota: 28x28x11.5mm

VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 25A. Do: 300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MB-256W. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: t=8.2ms

VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 25A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 360A. RM (max): 5mA. RM (min): 10uA. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.26V. Tensione diretta Vf (min): 1.26V. Numero di terminali: 4

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 25A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 360A. RM (max): 5mA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: MB25100. Dimensioni dei collegamenti: Terminale faston 6,35x0,8mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 28x28mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tensione di soglia Vf (max): 1.26V. Tensione diretta Vf (min): 1.26V

VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 25A. Do: 300pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 400A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 28x28mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Spec info: t=8.2ms

Corrente nominale [A]: 35A. Tensione di picco Urrm [V]: 200V. Corrente di picco Ifsm [A]: 300A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: 28.6x28.6x7.3mm. Numero di terminali: 4. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Configurazione: collegamento tramite terminali faston