Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RS602

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5 - 9 1.03€ 1.26€
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RS602. Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 250A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x17x6.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 01:25.

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KBU6J

KBU6J

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
KBU6J
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
KBU6J
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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KBL06

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
KBL06
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RBV406

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RBV406
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RBV406
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GBI10G

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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
GBI10G
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
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1N4007

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1N4007
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