Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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RS602

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RS602. VRRM: 100V. Corrente diretta (AV): 6A. Do: 186pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 250A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x17x6.5mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Prodotto originale del produttore Dc Components Co.. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 20:25.

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KBU6J

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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di dio...
KBU6J
VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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