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GBI10G

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GBI10G. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Trifase: 0. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 160A. Marcatura sulla cassa: +~~-. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 30x20x3.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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GBI10J

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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
GBI10J
Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 160A. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: +~~-. Equivalenti: KBJ10J. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 30x20x3.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V
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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 160A. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: +~~-. Equivalenti: KBJ10J. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 30x20x3.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V
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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
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