Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.41€ | 1.72€ |
5 - 9 | 1.34€ | 1.63€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.55€ |
25 - 49 | 1.20€ | 1.46€ |
50 - 89 | 1.17€ | 1.43€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.41€ | 1.72€ |
5 - 9 | 1.34€ | 1.63€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.55€ |
25 - 49 | 1.20€ | 1.46€ |
50 - 89 | 1.17€ | 1.43€ |
GBI10J. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 10A. IFSM: 160A. RM (max): 5uA. Marcatura sulla cassa: +~~-. Equivalenti: KBJ10J. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 30x20x3.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
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