Ponti raddrizzatori a diodi

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Trifase: 0. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: BR306, KBPC106. Dimensioni dei collegamenti: diametro 0,9 mm. Passo: 10.8x10.8mm. RoHS: sì. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 80A. Passo: 4.5mm. Dimensioni: 22x18.5x3.5mm. VRRM: 600V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--80Ap (t=8.3ms)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 4A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 100V. Corrente di picco Ifsm [A]: 135A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Single Phase 1.5 AMPS. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Dimensioni dei collegamenti: distanza tra le gambe 5,6x5,6mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55°C...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Nota: diametro 10 mm. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (19x3.5x10mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 2.3A/1.5A. Tensione di soglia Uf [V]: 0.9V. Tensione di picco Urrm [V]: 160V. Corrente di picco Ifsm [A]: 50A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Do: 1300pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Diodo Trr (min.): SIL (19x3.5x10mm). Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 10A. RM (max): 5uA. RM (min): 0.9V. Passo: 5mm. Dimensioni: 20x10x3.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 160V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IF(AV) 1,5 A, 2,3 A (con dissipatore di calore)

Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 2,2 A (o 3,7 A se montato su dissipatore di calore). IFSM: 150A (50Hz 10ms). Dimensioni dei collegamenti: 10x7.5x7.5mm. Dimensioni: 32x17x5.6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. VRRM: 80V. Numero di terminali: 4

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (32x56x16mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 5A/3.3A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 160V. Corrente di picco Ifsm [A]: 150A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SIL (32x56x16mm). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 7A/4A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.05V. Tensione di picco Urrm [V]: 160V. Corrente di picco Ifsm [A]: 250A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Diametro: 10mm. RoHS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: 8.3x6.4x3.1mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 1A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Tensione di picco Urrm [V]: 160V. Corrente di picco Ifsm [A]: 40A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: girare, Diametro 9 mm, Altezza 5,1 mm. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 2A/1.5A. Tensione di soglia Uf [V]: 1V. Tensione di picco Urrm [V]: 160V. Corrente di picco Ifsm [A]: 50A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: 8.3x6.4x2.5mm. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 1A. Tensione di soglia Uf [V]: 1.1V. Tensione di picco Urrm [V]: 160V. Corrente di picco Ifsm [A]: 45A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: 8.3x6.4x2.5mm. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 2.3A. Tensione di soglia Uf [V]: 0.95V. Tensione di picco Urrm [V]: 160V. Corrente di picco Ifsm [A]: 65A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Nota: diametro 10 mm. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms

Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KIBPC110. Dimensioni dei collegamenti: diametro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Passo: 15.2x15.2mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 50A. VRRM: 1000V. Serie: GBPC. Numero di terminali: 4. Dimensioni dei collegamenti: Terminale faston 6,35x0,8mm

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3.2A. VRRM: 200V. Spec info: GI-Br

RoHS: sì. Famiglia di componenti: Ponte a diodi (Graetz). Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: 8.3x6.4x2.5mm. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 4. Corrente nominale [A]: 1A. Tensione di soglia Uf [V]: 0.79V. Tensione di picco Urrm [V]: 100V. Corrente di picco Ifsm [A]: 40A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 25A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Marcatura sulla cassa: D25XB60. Passo: 10x7.5x7.5mm. Dimensioni: 30x20x4.6mm. RoHS: sì. VRRM: 600V. Numero di terminali: 4. Spec info: pont de redressement en ligne (SIL). VRRM: 800V. Equivalenti: GBJ2508, KBJ6. Alloggiamento: SIL

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 24x15mm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 170A. Marcatura sulla cassa: D5SB 60. Passo: 10x7.5x7.5mm. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Tensione di soglia Vf (max): 1.05V. Tensione diretta Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--170Ap

Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Trifase: 0. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 100V. Spec info: IFSM--50Ap

Do: 25pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1.5A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Numero di terminali: 4. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--50Ap

Do: 25pF. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 50A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Passo: 5.08mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4