Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 80V, 4A, TO-126 - BD441

Transistor NPN, 80V, 4A, TO-126 - BD441
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1 - 4 0.25€ 0.31€
5 - 9 0.24€ 0.29€
10 - 24 0.23€ 0.28€
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Transistor NPN, 80V, 4A, TO-126 - BD441. Transistor NPN, 80V, 4A, TO-126. Tensione collettore-emettitore VCEO: 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 36W. Frequenza massima: 3MHz. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 4A. Costo): 15W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE253. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE243G
Transistor NPN, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 4A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 4A. Costo): 15W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 40 MHz. Funzione: Commutazione ad alta velocità, Audio. Guadagno hFE massimo: 180. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 15W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE253. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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KNP5WS-0R33

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Resistenza: 0.33 Ohms. Potenza: 5W. Dimensioni: 6x17mm. Serie: KNP5WS. Tolleranza: 5%. Materiale: re...
KNP5WS-0R33
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Allo...
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Allo...
2SC5200
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TIP42C

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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO...
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Transistor NPN, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1A. Custodia (se...
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Transistor NPN, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. ...
BD239C
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Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 8A. Cust...
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Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Cust...
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