Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 54ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F9Z34NS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 620pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 270pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.8A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 1.1A, DIP-4, -60V. Corrente di assorbimento massima: 1.1A. Alloggiamento: DIP-4. Tensione drain-source (Vds): -60V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms

Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 100dB. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 13A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB, HD-1, -60V, -1.6A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: HD-1. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD9024PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 200pF. Costo): 94pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 82 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 5.6A. ID (T=100°C): 0.49A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET POWWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB, DIP4, -100V, -0.7A, 1.2 Ohms. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. Custodia (standard JEDEC): 1.2 Ohms. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD9110PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. ID (T=25°C): 0.1A. Idss (massimo): 0.1A. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 0.6A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB, DIP4, -100V, -1A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DIP4. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD9120PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 390pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. ID (T=25°C): 0.56A. Idss (massimo): 0.56A. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DH-1 house, DIP-4. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: FET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 0.34A. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB, HD-1, -200V, -0.56A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: HD-1. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 4. Marcatura del produttore: IRFD9220PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, ITO-220AB, -100V, -11A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFI9540GPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 24 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 4.3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 2.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Funzione: td(on) 12ns, td(off) 28ns

Transistor a canale P, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (massimo): 4.1A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 2.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Funzione: td(on) 12ns, td(off) 34ns

Transistor a canale P, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.5A. Idss (massimo): 1.5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 0.96A. Nota: b47kaa. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -60V, -0.18A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FE. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 270pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. ID (T=25°C): 1.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 200pF. Costo): 94pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 8.8A. ID (T=100°C): 0.69A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.1W. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -100V, -1.1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3.1W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (min): 25mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.117 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-247AC, -100V, -23A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP9140NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-247AC, -100V, -21A, 180W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. Custodia (standard JEDEC): 180W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP9140PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.57 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: transistor complementare (coppia) IRFP240. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-247, -200V, -12A, 150W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Custodia (standard JEDEC): 150W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP9240PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: IRFR5305. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS