Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (massimo): 10nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 600pF. Costo): 70pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (min): 1nA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: V-MOS. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI9953DY. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO220-3. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 335pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32.5A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (min): 0.1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Funzione: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 18.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 230pF. Costo): 95pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento nominale dv/dt. Protezione GS: diodo. Id(imp): 74.8A. ID (T=100°C): 13.2A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 18P06P. Pd (dissipazione di potenza, massima): 81W. Rds sulla resistenza attiva: 0.102 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 340pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10P6F6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 64 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 80A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5500pF. Costo): 1130pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -60V, -53A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SUP53P06-20. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 104W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -4.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 75 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 745pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 30A, TO-220AB, -100V. Corrente di assorbimento massima: 30A. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.056 Ohms

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-92, -100V, -0.23A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVP2110A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 100pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -60V, -0.09A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVP3306F. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 8 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-92, -240V, -0.2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.0V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C