Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-92, -30V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J175. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (massimo): 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. ID (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Rds sulla resistenza attiva: 250 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Funzione: VGS(off) 1V...4V

Transistor a canale P, 5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (massimo): 5mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 5pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. ID (min): 1mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 6E. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: J-FET amplificatore.. Voltaggio gate/source Vgs: 4 v. Vgs(esimo) min.: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (massimo): 9mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 5pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: JFET. ID (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 61U. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: J-FET amplificatore.. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 7.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 61U. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (massimo): 60mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 11pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. ID (min): 7mA. IGF: 50mA. Marcatura sulla cassa: 6W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 6V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafia/codice SMD 6W. Unità di condizionamento: 3000

Transistor a canale P, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (massimo): 20mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 25V. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Tipo di transistor: JFET. ID (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Marcatura sulla cassa: 6Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 2.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.8V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 6Y. Unità di condizionamento: 3000

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. RoHS: sì. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 6Y. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 45pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -500V, -2A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTP2P50EG. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 24 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1183pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -30V, -50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M50P03HDLG. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 117 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -20V, -24A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDP6020P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -0.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1590pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (massimo): 200uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 79pF. Costo): 10pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 610. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 2.5 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafia/codice SMD 610. Funzione: Interruttore di segnale piccolo a canale P controllato in tensione, design della cella ad alta densità per RDS basso (ON). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 195pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 10A. ID (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 8 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -0.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDS352APRL. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 135pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 2.3A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 60V. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Funzione: Doppio canale P e P da 60 V. Id(imp): 10A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Quantità per scatola: 2. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -30V, -5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDT452AP. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 690pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -30V, -7.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDT456P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20P06LG. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -12A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NT2955G. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 750pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 55W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Funzione: ID pulse 36A/10ms. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, SO, SOP-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SOP-8. Funzione: 27.5 & 34m Ohms). Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: coppia di transistor MOSFET a canale N e canale P complementari. Quantità per scatola: 2

Transistor a canale P, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 690pF. Costo): 310pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 15.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Miglioramento del livello logico. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 28W. Rds sulla resistenza attiva: 0.065 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19.8 ns. Td(acceso): 6.7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 50V. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 125us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: D8P05. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 20A. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, TO-220FP, TO-220F, 630V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 630V. C(in): 1250pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: P. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 20 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 30 v. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS