Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. ID (T=25°C): 18A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 650pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 57W. Rds sulla resistenza attiva: 0.11 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 270pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: FET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.2A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.50 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9.6 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -5.1A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR9014PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 270pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR9024N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR9024N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 38W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -8.8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR9024PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 570pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 5.6A. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 3.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET

Transistor a canale P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -100V, -6.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FR9120N. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK ( TO-252AA ). Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 340pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7.3 ns. Td(acceso): 8.8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -200V, -3.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFR9220PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 570pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.28 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 8A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L5602S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 53 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -0.76A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: D. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 23 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 75pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 510pF. Costo): 71pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD H. Marcatura sulla cassa: H. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.25W. Rds sulla resistenza attiva: 0.098 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 350 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 88pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -20V, -0.62A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: C. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 22 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 97pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.54W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 633pF. Costo): 145pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 2.2A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Rds sulla resistenza attiva: 0.05 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 588 ns. Td(acceso): 350 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) massimo: 1.2V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -20V, -3.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 350 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 588 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 633pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23/6. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: 2E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1079pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. C(in): 2560pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 25 ns. Funzione: C2-Class High Speed IGBT. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 33A. Nota: custodia isolata. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 18 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

Transistor a canale P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 12pF. Costo): 2210pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 890W. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 89 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: PolarPTM Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS