Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -6.8A, 40W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Custodia (standard JEDEC): 40W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9520. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -6.8A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F9520. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -6.8A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9520PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 21 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 390pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 860pF. Costo): 340pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 14A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 760pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 56A. ID (T=100°C): 10A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, TO-220AB, -100V, -14A, 14A, -100V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. Corrente di assorbimento massima: 14A. Tensione drain-source (Vds): -100V. Marcatura del produttore: IRF9530. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 760pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 79W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Potenza: 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1400pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 13A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.20 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 34 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.117 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 23A, -100V, TO-220AB <.45/32nsec. Corrente di assorbimento massima: 23A. Tensione drain-source (Vds): -100V. Alloggiamento: TO-220AB <.45/32nsec. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.117 Ohms

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -23A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9540. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1300pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 140W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 170pF. Costo): 50pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 240 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 7A. ID (T=100°C): 1A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -200V, -1.8A, 20W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. Custodia (standard JEDEC): 20W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9610PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 170pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 350pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -200V, -3.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9620PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 350pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 2.4 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 1

Transistor a canale P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 700pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 6.5A, TO-220AB, -200V. Corrente di assorbimento massima: 6.5A. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Potenza: 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -200V, -6.5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9630PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 125W. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, TO-220AB, -200V, -11A, 11A, -200V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente di assorbimento massima: 11A. Tensione drain-source (Vds): -200V. Marcatura del produttore: IRF9640PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Potenza: 125W. Rds sulla resistenza attiva: 0.5 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -200V, -11A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F9640S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F9953. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 350pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 47 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.5A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.175 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 54ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, TO-220AB, -55V, -19A, 17A, -55V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. Corrente di assorbimento massima: 17A. Tensione drain-source (Vds): -55V. Marcatura del produttore: IRF9Z34NPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 620pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 68W. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Tipo di canale: P. Potenza: 56W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C