Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L5602S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.7 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 53 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1460pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 350 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 88pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23/6. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: 2E. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1079pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-92, -30V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor JFET a canale P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: J175. Corrente di assorbimento Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Tensione di breakpoint gate-source Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (massimo): 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: JFET. Funzione: VGS(off) 1V...4V. ID (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 350mW. Rds sulla resistenza attiva: 250 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 4 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 1V

Transistor a canale P, SOT-23. Alloggiamento: SOT-23. Polarità: MOSFET P. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): -50V. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): -0.13A. Tensione di azionamento: 10V. RDS su (max) @ id, vgs: 10 Ohms / -130mA / -10V. Tensione gate/source Vgs max: ±20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Temperatura di funzionamento: 150°C. Tipo di montaggio: SMD. MSL: 1

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -30V, -50A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M50P03HDLG. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 117 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -0.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDS352APRL. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 135pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -30V, -7.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDT456P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. RoHS: sì. C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 18A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 50us. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: ID pulse 36A/10ms. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 36A. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: L7. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 380pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: N9. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 210pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -12V, -6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: O4. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 45 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1275pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 35ms. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 40V. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 45ms. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.6A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (massimo): 7.1A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 2. Diodo Trr (min.): 60 ns. Protezione GS: NINCS. ID (T=100°C): 5.7A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

Transistor a canale P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: V-MOS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI9953DY. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 60V. RoHS: sì. C(in): 340pF. Costo): 40pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 7.2A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 10P6F6. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 64 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: MOSFET di potenza STRipFET™ II a bassa carica del gate. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 80A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 5500pF. Costo): 1130pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 165 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -60V, -53A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: SUP53P06-20. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 104W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C