Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: 2xP-CH 20V. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 2

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7204. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 150 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 870pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -12V, -6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7233. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 77 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -12V, -9.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7233. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 77 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 2

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -20V, -4.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7304. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 610pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -3.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7306. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 2

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7314. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 63 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 780pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Numero di terminali: 8:1. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--30Ap

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -3.9A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7316. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 19 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 710pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6.4A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di transistor: PNP & PNP. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor Mosfet a doppio canale P, Resistenza ON RDS ultrabassa

Transistor a canale P, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tipo di canale: P. Equivalenti: IRF7342PBF. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantità per scatola: 2. Funzione: IDM--27Ap

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7342. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 64 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 690pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7342. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 22 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 64 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 690pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1700pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 59 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) massimo: 2.04V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -10A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7416. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.04V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 59 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1700pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -11A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7424. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.04V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 150 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4030pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 7980pF. Costo): 1480pF. Tipo di canale: P. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.082 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 230 ns. Td(acceso): 13 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) massimo: 1.2V. Vgs(esimo) min.: 0.45V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. ID (T=25°C): 11A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO-204AA ). Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 1200pF. Costo): 570pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 270ms. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Rds sulla resistenza attiva: 50M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: HEXFET. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 150uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione di laptop. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 25 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.4V. Vgs(esimo) min.: 1.3V. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Custodia (standard JEDEC): 1. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF9510PBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 43W. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 390pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 98 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.8A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS