Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A - SI2309CDS-T1-GE3

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A - SI2309CDS-T1-GE3. Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): MS-012. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: N9. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 60 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 210pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.7W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.