Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -100V, -0.68A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP316. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 370pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-223, -250V, -0.26A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Tensione drain-source Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSP92P. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 101 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 104pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-92, -50V, -170mA. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BSS110. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 45pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.63W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 130mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 25pF. Costo): 15pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 11W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS verticale in modalità potenziamento . Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Spec info: serigrafia/codice SMD 11W. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 13. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 45pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.18A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: VS. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 13 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 48 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 36pF

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: Pd (dissipazione di potenza, massima). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Capacità del gate Ciss [pF]: 36pF

Transistor a canale P, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 734pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 120ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Numero di terminali: 2. Spec info: transistor complementare (coppia) BUZ901. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1802pF. Costo): 415pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 30 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 9A. Marcatura sulla cassa: P3020LS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0116 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 5.1 ns. Tecnologia: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Varie: Velocità di commutazione rapida, bassa perdita di ingresso/uscita. Funzione: Bassa resistenza in conduzione, bassa tensione di soglia del gate, bassa capacità di ingresso. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio Vds(max): 200V. Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 1850pF. Costo): 850pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 105 ns. Td(acceso): 150 ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.1V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECW20N20. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 200V. Piedinatura: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Varie: Amplificatore di potenza HI-FI. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 100 ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Spec info: transistor complementare (coppia) ECX10N20. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 35V. C(in): 530pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 16 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 365P. Marcatura sulla cassa: 365 P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Convertitori, Alimentatori. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -4.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23/6. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 6. Marcatura del produttore: .638. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 700pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 642. Marcatura sulla cassa: 642. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Transistor a canale P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 630pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 250uA. Nota: serigrafia/codice SMD FDC642P. Marcatura sulla cassa: FDC642P. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.0525 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 23.5 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 58A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 40V. C(in): 2085pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Tecnologia delle trincee ad alte prestazioni". Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 50A. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD4141. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 69W. Rds sulla resistenza attiva: 12.3m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: resistenza RDS(on) estremamente bassa. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. RoHS: sì. C(in): 759pF. Costo): 90pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 15A. ID (min): 1uA. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Marcatura sulla cassa: FDD5614P. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1715pF. Costo): 440pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 11A. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 52W. Rds sulla resistenza attiva: 0.014 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -12V, -2.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 306. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 61 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1138pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (massimo): 0.1uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 451pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Gestione della batteria. Id(imp): 5A. ID (min): n/a. Nota: serigrafia/codice SMD 338. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.088 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V

Transistor a canale P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. ID (T=25°C): 1.5A. Ids: 10uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 182pF. Costo): 56pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 358. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -60V, -1.25A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 618. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 430pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1604pF. Costo): 408pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 13 ns. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: canale P. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2010pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 12 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: canale P. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Transistor a canale P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1385pF. Costo): 275pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: regolatore di carica della batteria. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: canale P. Spec info: Livello di protezione ESD HBM di 3,8 kV. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: sì