Transistor FET e MOSFET

Transistor a canale P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (massimo): 0.1uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 451pF. Costo): 75pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Gestione della batteria. Id(imp): 5A. ID (min): n/a. Nota: serigrafia/codice SMD 338. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.088 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V

Transistor a canale P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. ID (T=25°C): 1.5A. Ids: 10uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 182pF. Costo): 56pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Single P-Channel, Logic Level. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 5A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 358. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -60V, -1.25A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 618. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6.5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 430pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1604pF. Costo): 408pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 42 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: canale P. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2010pF. Costo): 590pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 36ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1385pF. Costo): 275pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: NINCS. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: regolatore di carica della batteria. Protezione GS: sì. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.016 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Livello di protezione ESD HBM di 3,8 kV. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, SO, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 2. Funzione: MOSFET a canale P doppio PowerTrench 30V. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: canale P

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -11A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 2470pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2890pF. Costo): 500pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: sì. Id(imp): 65A. ID (T=100°C): n/a. ID (min): n/a. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 7.7m Ohms. RoHS: sì. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 210 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, 5.3A, 100nA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 100nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 528pF. Costo): 132pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. RoHS: sì. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SOT-23, -25V, -0.46A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: -25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.46A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 304. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 63pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 1100pF. Costo): 510pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 105 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 102A. ID (T=100°C): 19.1A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. C(in): 1450pF. Costo): 450pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: P. Funzione: Transistor MOS IGBT a canale P. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 60A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Spec info: amplificatore audio. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V

Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -55V, -74A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF4905. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 61 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 61 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F4905S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F4905S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 150W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 40A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 2700pF. Costo): 790pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 170 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 29A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 79 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1200pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 71 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 22A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. RoHS: sì. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F5305S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 110W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Transistor a canale P, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 150V. C(in): 860pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 160 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 9A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Rds sulla resistenza attiva: 0.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7204. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 150 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 860pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 870pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 15A. ID (T=100°C): 3.7A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -12V, -6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7233. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 77 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -20V, -4.7A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7304. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8.4 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 51 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 610pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -30V, -3.6A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7306. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C