Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.58€ | 1.93€ |
5 - 9 | 1.50€ | 1.83€ |
10 - 24 | 1.42€ | 1.73€ |
25 - 49 | 1.34€ | 1.63€ |
50 - 99 | 1.31€ | 1.60€ |
100 - 249 | 1.28€ | 1.56€ |
250 - 4917 | 1.21€ | 1.48€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.58€ | 1.93€ |
5 - 9 | 1.50€ | 1.83€ |
10 - 24 | 1.42€ | 1.73€ |
25 - 49 | 1.34€ | 1.63€ |
50 - 99 | 1.31€ | 1.60€ |
100 - 249 | 1.28€ | 1.56€ |
250 - 4917 | 1.21€ | 1.48€ |
Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -55V, -74A, 200W - IRF4905PBF. Transistor a canale P, saldatura PCB, TO-220AB, -55V, -74A, 200W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Custodia (standard JEDEC): 200W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRF4905. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 61 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3400pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 04:25.
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