Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale P, 5.3A, 100nA, SO, SO-8, 30 v - FDS9435A

Transistor a canale P, 5.3A, 100nA, SO, SO-8, 30 v - FDS9435A
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Transistor a canale P, 5.3A, 100nA, SO, SO-8, 30 v - FDS9435A. Transistor a canale P, 5.3A, 100nA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 100nA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 528pF. Costo): 132pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. RoHS: sì. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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SI9435BDY

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Transistor a canale P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Alloggi...
SI9435BDY
Transistor a canale P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 5.3A. Idss (massimo): 5.3A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: V-MOS
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FDS9435A

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FDS9435A
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