Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50

Transistor a canale N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50
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Transistor a canale N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V - FQP13N50. Transistor a canale N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 7.9A. ID (T=25°C): 12.5A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.33 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1800pF. Costo): 245pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 290 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 09:25.

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FQP13N50C

FQP13N50C

Transistor a canale N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25...
FQP13N50C
Transistor a canale N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
FQP13N50C
Transistor a canale N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 410 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 52A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 195W. RoHS: sì. Spec info: carica gate bassa (tipica 43 nC). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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