Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3567

Transistor a canale N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3567
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25 - 49 1.82€ 2.22€
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Transistor a canale N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3567. Transistor a canale N, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Ids: 100mA. Idss (massimo): 3.5A. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: sì. Id(imp): 14A. Marcatura sulla cassa: K3567. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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Transistor a canale N, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protezione GS: sì. Id(imp): 14A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K2750. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 800pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Protezione GS: sì. Id(imp): 14A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: K2750. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 85 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSV). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 1.51A, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 1.51A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 2.4A. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 600V. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET
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