Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3561

Transistor a canale N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3561
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1 - 4 2.53€ 3.09€
5 - 9 2.40€ 2.93€
10 - 24 2.33€ 2.84€
25 - 35 2.28€ 2.78€
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Transistor a canale N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V - 2SK3561. Transistor a canale N, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1050pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Protezione GS: sì. Id(imp): 32A. Marcatura sulla cassa: K3561. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 26 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

Documentazione tecnica

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Transistor a canale N, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. I...
IRFI840G
Transistor a canale N, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1300pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 340 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1300pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 340 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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IRF840A

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Transistor a canale N, 5.1A, 8A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1018pF. Costo): 155pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 422 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 32A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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