Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.05€ | 2.50€ |
5 - 9 | 1.95€ | 2.38€ |
10 - 24 | 1.84€ | 2.24€ |
25 - 49 | 1.74€ | 2.12€ |
50 - 68 | 1.73€ | 2.11€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.05€ | 2.50€ |
5 - 9 | 1.95€ | 2.38€ |
10 - 24 | 1.84€ | 2.24€ |
25 - 49 | 1.74€ | 2.12€ |
50 - 68 | 1.73€ | 2.11€ |
IRFI840G. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 4.6A. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohm 40W. Alloggiamento: TO-220-F. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Tensione drain-source (Vds): 500V. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 07:25.
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