Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

TLP181

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TLP181. CTR: 100...600 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Funzione: GaAs IR e fototransistor. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 1A. Marcatura sulla cassa: P181G. Uscita: uscita a transistor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: SO-4. Custodia (secondo scheda tecnica): 11-4C1. Tr: 2us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Numero di terminali: 4. Spec info: Ingresso CA-CC, adattatore CA, scheda di interfaccia I/O. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 22:25.

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TLP621

TLP621

CTR: 100...600 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di sog...
TLP621
CTR: 100...600 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 2us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 55V. Vrm: 5000V. Numero di terminali: 4. Spec info: Ingresso AC-DC
TLP621
CTR: 100...600 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Corrente del collettore: 50mA. Uscita: uscita a transistor. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 3us. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): DIP-4. Tr: 2us. Temperatura di funzionamento: -55...+100°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 55V. Vrm: 5000V. Numero di terminali: 4. Spec info: Ingresso AC-DC
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TLP621-2

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CTR: 50...100 %. Diodo IF: 50mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 70mW. Tensione di sogl...
TLP621-2
[LONGDESCRIPTION]
TLP621-2
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361190054011

361190054011

Voltaggio bobina: 5VDC. Modalità di commutazione: 1SPDT (ON-ON). Numero di terminali: 5. Dimensioni...
361190054011
[LONGDESCRIPTION]
361190054011
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TLP504A

TLP504A

CTR: 50...600 %. Diodo IF: 60mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Tensione di soglia del diodo: 1...1.3...
TLP504A
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TLP504A
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Quantità in magazzino : 1066
MPSA06

MPSA06

Resistenza BE: 10. Costo): 300pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. ...
MPSA06
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MPSA06
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361190124011

361190124011

Voltaggio bobina: 12VDC. Modalità di commutazione: 1SPDT (ON-ON). Numero di terminali: 5. Dimension...
361190124011
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361190124011
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MOF0932JAFTR220

MOF0932JAFTR220

Resistenza: 0.22 Ohms. Potenza: 1W. Tolleranza: 5%. Dimensioni: 4.5x11.5mm. Tensione operativa massi...
MOF0932JAFTR220
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MOF0932JAFTR220
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MPSA56

MPSA56

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente d...
MPSA56
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MPSA56
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TLP620T

TLP620T

CTR: 50...600 %. Diodo IF: 60mA. Diodo IF Courant (picco): 1A. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di sogl...
TLP620T
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TLP620T
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